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AP6680BGYT-HF

更新时间： 2024-11-18 12:52:07

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管驱动
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4页	101K
描述
Simple Drive Requirement, Small Size & Lower Profile

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AP6680BGYT-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.67
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏源导通电阻：	0.009 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP6680BGYT-HF 数据手册

AP6680BGYT-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

30V

9mΩ

16A

▼ Small Size & Lower Profile

▼ RoHS Compliant & Halogen-Free

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The PMPAK^®3x3 package is special for DC-DC converters

application and lower 1.0mm profile with backside heat sink.

PMPAK^®3x3

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+20

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current¹

P_D@T_A=25℃

T_STG

Total Power Dissipation

3.57

℃

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

T_J

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Unit

℃/W

Rthj-c

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient³

Rthj-a

Data and specifications subject to change without notice

201103291

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与AP6680BGYT-HF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AP6680CGYT-HF	A-POWER	获取价格	Simple Drive Requirement, Small Size & Lower Profile
AP6680GM	A-POWER	获取价格	Low On-Resistance, High Vgs Max Rating Voltage
AP6680SGYT-HF	A-POWER	获取价格	Simple Drive Requirement, Small Size & Lower Profile
AP6681GMT-HF	A-POWER	获取价格	Low On-resistance, SO-8 Compatible
AP6683GYT-HF	A-POWER	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP6714	DIODES	获取价格	1.8MHz SYNCHRONOUS BOOST CONVERTER
AP6714M10G-13	DIODES	获取价格	1.8MHz SYNCHRONOUS BOOST CONVERTER
AP6800GEO	A-POWER	获取价格	Low on-resistance, Optimal DC/DC battery application
AP-68681%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 68uH, 1%, 1 Element, Ferrite-Core
AP-686810%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 68uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core