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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AP6680CGYT-HF
AP6680CGYT-HF PDF预览

AP6680CGYT-HF

更新时间： 2024-11-18 12:52:07
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER 驱动
页数 文件大小 规格书
4页 64K
描述
Simple Drive Requirement, Small Size & Lower Profile

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AP6680CGYT-HF 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-F8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.67
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏源导通电阻：0.009 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-F8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AP6680CGYT-HF 数据手册

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AP6680CGYT-HF  
Halogen-Free Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOSFET  
▼ Simple Drive Requirement  
BVDSS  
RDS(ON)  
ID  
30V  
9mΩ  
15A  
D
S
▼ Small Size & Lower Profile  
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free  
G
D
D
Description  
D
AP6680C series are from Advanced Power innovated design and silicon  
process technology to achieve the lowest possible on-resistance and fast  
switching performance. It provides the designer with an extreme efficient  
device for use in a wide range of power applications.  
D
S
The PMPAK® 3x3 package is special for voltage conversion application  
using standard infrared reflow technique with the backside heat sink to  
achieve the good thermal performance.  
S
S
G
PMPAK® 3x3  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
30  
Units  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
V
V
Gate-Source Voltage  
+20  
ID@TA=25℃  
ID@TA=70℃  
IDM  
Continuous Drain Current3  
Continuous Drain Current3  
Pulsed Drain Current1  
15  
A
12  
A
50  
A
PD@TA=25℃  
TSTG  
Total Power Dissipation  
3.13  
W
℃
℃
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
TJ  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
℃/W  
℃/W  
Rthj-c  
Maximum Thermal Resistance, Junction-case  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient3  
5
Rthj-a  
40  
Data and specifications subject to change without notice  
1
201206211  
1234

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与AP6680CGYT-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP6680GM A-POWER

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 		Low On-Resistance, High Vgs Max Rating Voltage
AP6680SGYT-HF A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement, Small Size & Lower Profile
AP6681GMT-HF A-POWER

获取价格

 		Low On-resistance, SO-8 Compatible
AP6683GYT-HF A-POWER

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP6714 DIODES

获取价格

 		1.8MHz SYNCHRONOUS BOOST CONVERTER
AP6714M10G-13 DIODES

获取价格

 		1.8MHz SYNCHRONOUS BOOST CONVERTER
AP6800GEO A-POWER

获取价格

 		Low on-resistance, Optimal DC/DC battery application
AP-68681% VISHAY

获取价格

 		General Purpose Inductor, 68uH, 1%, 1 Element, Ferrite-Core
AP-686810% VISHAY

获取价格

 		General Purpose Inductor, 68uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core
AP-686815% VISHAY

获取价格

 		General Purpose Inductor, 68uH, 15%, 1 Element, Ferrite-Core

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