AP6923O

更新时间： 2024-09-16 08:32:07

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富鼎先进 - A-POWER		晶体肖特基二极管小信号场效应晶体管开关光电二极管
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描述
P-CHANNEL WITH SCHOTTKY DIODE POWER MOSFET

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AP6923O 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	其他特性：	ULTRA LOW RESISTANCE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.05 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP6923O 数据手册

AP6923O

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL WITH SCHOTTKY DIODE

POWER MOSFET

▼ Low On-Resistance

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-20V

50mΩ

-3.5A

▼ Fast Switching Characteristic

▼ Included Schottky Diode

TSSOP-8

Description

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, ultra low on-resistance and

cost-effectiveness.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

-20

Units

V_DS

V_KA

V_GS

Drain-Source Voltage (MOSFET and Schottky))

Reverse Voltage (Schottky)

Gate-Source Voltage (MOSFET)

± 12

- 3.5

- 2.8

- 30

I_D@T_A=25℃

Continuous Drain Current³(MOSFET)

Pulsed Drain Current¹(MOSFET)

Average Forward Current (Schottky)

Pulsed Forward Current¹(Schottky)

I_D@T_A=70℃

I_DM

I_F

I_FM

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation (MOSFET)

Total Power Dissipation (Schottky)

Storage Temperature Range

℃

T_STG

T_J

-55 to 150

-55 to 125

Operating Junction Temperature Range

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Unit

℃/W

Rthj-a

Thermal Resistance Junction-ambient³(MOSFET)

Max.

125

Thermal Resistance Junction-ambient³(Schottky)

Data and specifications subject to change without notice

200131025

12 3 4

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