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AP6924GEY

更新时间： 2024-11-21 08:32:07

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富鼎先进 - A-POWER		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
4页	78K
描述
N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE

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AP6924GEY 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	LEAD FREE PACKAGE-6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.82	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	1 A
最大漏源导通电阻：	0.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP6924GEY 数据手册

AP6924GEY

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKY

DIODE

▼ Low On-Resistance

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

20V

600mΩ

▼ Fast Switching Characteristic

▼ Included Schottky Diode

SOT-26

Description

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, ultra low on-resistance and

cost-effectiveness.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

±6

Units

V_DS

V_KA

V_GS

Drain-Source Voltage (MOSFET)

Reverse Voltage (Schottky)

Gate-Source Voltage (MOSFET)

Continuous Drain Current³(MOSFET)

Pulsed Drain Current¹(MOSFET)

Average Forward Current (Schottky)

Pulsed Forward Current¹(Schottky)

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

0.8

I_DM

I_F

0.5

I_FM

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation (MOSFET)

Total Power Dissipation (Schottky)

Storage Temperature Range

0.9

℃

0.9

T_STG

T_J

-55 to 125

Operating Junction Temperature Range

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Units

℃/W

Rthj-a

Thermal Resistance Junction-ambient³(MOSFET)

Max.

110

Thermal Resistance Junction-ambient³(Schottky)

Data and specifications subject to change without notice

200301051

12 3 4

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