AP6680GM

更新时间： 2024-09-16 12:26:35

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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6页	85K
描述
Low On-Resistance, High Vgs Max Rating Voltage

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AP6680GM 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	11.5 A	最大漏源导通电阻：	0.011 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP6680GM 数据手册

AP6680GM

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Low On-Resistance

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

30V

▼ High Vgs Max Rating Voltage

▼ Surface Mount Package

11mΩ

11.5A

SO-8

Description

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, ultra low on-resistance and

cost-effectiveness.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 25

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current¹

11.5

9.5

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

2.5

Linear Derating Factor

0.02

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rthj-amb

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

200902302

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AP6680SGYT-HF	A-POWER	获取价格	Simple Drive Requirement, Small Size & Lower Profile
AP6681GMT-HF	A-POWER	获取价格	Low On-resistance, SO-8 Compatible
AP6683GYT-HF	A-POWER	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP6714	DIODES	获取价格	1.8MHz SYNCHRONOUS BOOST CONVERTER
AP6714M10G-13	DIODES	获取价格	1.8MHz SYNCHRONOUS BOOST CONVERTER
AP6800GEO	A-POWER	获取价格	Low on-resistance, Optimal DC/DC battery application
AP-68681%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 68uH, 1%, 1 Element, Ferrite-Core
AP-686810%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 68uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core
AP-686815%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 68uH, 15%, 1 Element, Ferrite-Core
AP-68685%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 68uH, 5%, 1 Element, Ferrite-Core