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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AP6679GS-A
AP6679GS-A PDF预览

AP6679GS-A

更新时间： 2024-11-18 13:05:35
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲驱动
页数 文件大小 规格书
4页 104K
描述
TRANSISTOR 65 A, 40 V, 0.0135 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN, FET General Purpose Power

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AP6679GS-A 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.12配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：65 A
最大漏源导通电阻：0.0135 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：260 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AP6679GS-A 数据手册

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AP6679BGH/J-HF  
Halogen-Free Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOSFET  
D
S
▼ Low On-resistance  
BVDSS  
RDS(ON)  
ID  
-30V  
9mΩ  
-63A  
▼ Simple Drive Requirement  
▼ Fast Switching Characteristic  
G
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free  
Description  
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.  
G
D
TO-252(H)  
TO-251(J)  
S
The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial  
surface mount applications and suited for low voltage applications  
such as DC/DC converters. The through-hole version (AP6679BGJ) is  
available for low-profile applications.  
G
D
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
-30  
Units  
V
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
+20  
V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current1  
ID@TC=25℃  
ID@TC=100℃  
IDM  
-63  
A
-40  
A
-240  
A
PD@TC=25℃  
TSTG  
Total Power Dissipation  
54.3  
W
℃
℃
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
TJ  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
2.3  
Units  
℃/W  
℃/W  
℃/W  
Rthj-c  
Maximum Thermal Resistance Junction-case  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)3  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient  
Rthj-a  
62.5  
110  
Rthj-a  
Data and specifications subject to change without notice  
1
201004142  
1234

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与AP6679GS-A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP6679GS-A-HF_14 A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement
AP6679GS-HF A-POWER

获取价格

 		Fast Switching Characteristic
AP6679GS-HF_16 A-POWER

获取价格

 		Fast Switching Characteristic
AP6679GSP-HF A-POWER

获取价格

 		Lower On-resistance, Simple Drive Requirement
AP6679P A-POWER

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
AP6679S A-POWER

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
AP6680AGM A-POWER

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP6680AGM-HF A-POWER

获取价格

 		TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
AP6680BGM-HF A-POWER

获取价格

 		Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement
AP6680BGYT-HF A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement, Small Size & Lower Profile

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