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AP6680AGM-HF

更新时间： 2024-11-18 13:05:35

品牌	Logo	应用领域
富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	197K
描述
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

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AP6680AGM-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.67
其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏源导通电阻：	0.011 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP6680AGM-HF 数据手册

AP6680AGM

RoHS-compliant Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Low On-Resistance

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

30V

11mΩ

12A

▼ Simple Drive Requirement

▼ Fast Switching Characteristic

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, ultra low on-resistance and

cost-effectiveness.

SO-8

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+20

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current¹

9.8

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

2.5

Linear Derating Factor

0.02

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rthj-a

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient³

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

200810084

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AP6680BGM-HF	A-POWER	获取价格	Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement
AP6680BGYT-HF	A-POWER	获取价格	Simple Drive Requirement, Small Size & Lower Profile
AP6680CGYT-HF	A-POWER	获取价格	Simple Drive Requirement, Small Size & Lower Profile
AP6680GM	A-POWER	获取价格	Low On-Resistance, High Vgs Max Rating Voltage
AP6680SGYT-HF	A-POWER	获取价格	Simple Drive Requirement, Small Size & Lower Profile
AP6681GMT-HF	A-POWER	获取价格	Low On-resistance, SO-8 Compatible
AP6683GYT-HF	A-POWER	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP6714	DIODES	获取价格	1.8MHz SYNCHRONOUS BOOST CONVERTER
AP6714M10G-13	DIODES	获取价格	1.8MHz SYNCHRONOUS BOOST CONVERTER
AP6800GEO	A-POWER	获取价格	Low on-resistance, Optimal DC/DC battery application