Datasheet > AO4314

AO4314

更新时间： 2024-11-19 18:09:23

品牌	Logo	应用领域
合科泰 - HOTTECH		/
页数	文件大小	规格书
7页	869K
描述
SOP-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AO4314 数据手册

4314

LOW VOLTAGE MOSFET (N-CHANNEL)

FEATURES

 Ultra low on-resistance:V_DS=36V,I_D=20A,R_DS(ON)≤6mΩ@V_GS=10V

 Most efficient high frequency switching performance

 For general purpose applications

 Surface Mount device

SOP-8

MECHANICAL DATA



Case: SOP-8

Case Material: Molded Plastic. UL flammability

Classification Rating: 94V-0

Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020

Weight: 0.3 grams (approximate)

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Symbol

Value

Unit

VDS

±20

V_GS

T_A= 25°C

T_A= 70°C

Continuous drain current

I_D

Pulsed drain current

Avalanche current

Avalanche energy L=0.1mH

I_DM

I_AS,I_AR

E_AS,E_AR

219

T_A= 25°C

T_A= 70°C

4.2

Power dissipation

P_D

2.7

Thermal resistance from Junction to ambient

Thermal resistance from Junction to Lead

Junction temperature

R_θ

T_J

T_STG

°C/W

°C

150

-55 ~+150

Storage temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Conditions

V^(BR)DSS*

Drain-Source breakdown voltage

Zero gate voltage drain current

Gate-body leakage current

Gate-threshold voltage

V^GS=0V, I^D=250μA

I_DSS

I_GSS

μA V_DS=36V,

V^GS=0V

nA V_DS=0V,

±100

2.3

VGS=±20V

V_GS(th)

1.2

219

1.8

mΩ

V^DS=V^GS, I^D=250μA

V_DS=5V,

On-State Drain Current

I_D(ON)

V^GS=10V

V^GS=10V, I^D=20A

^GS=10V, I^D=20A, T^J=125°C

4.2

6.5

5.7

9.5

8.5

Drain-source on-resistance

R_DS(ON)*

VGS=4.5V, ID=20A

V^DS=5V, I^D=20A

IS=1A, VGS=0V

g_FS

V_SD

I_S

C_iss

C_oss

C_rss

R_g

Forward transconductance

Diode forward voltage

Diode forward current

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Gate resistance

Total gate charge

Gate-source charge

Gate-drain charge

Turn-on delay time

Turn-on rise time

Turn-off delay time

Turn-off fall time

Body Diode Reverse Recovery Time

Body Diode Reverse Recovery Charge

0.7

5.5

980 1225 1470

V_{DS=18V, VGS=0V, f=1MHz}

325

0.5

465

605

1.6

1.1

8.6

18.6

2.8

3.2

4.5

3.5

20.3

3.5

V_{DS=0V, VGS=0V, f=1MHz}

V^GS=4.5V,V^DS=18V,I^D=20A

Q_g

VGS=10V,VDS=18V,ID=20A

Q_gs

Q_gd

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

VGS=10V, VDS=18V,

RGEN=3Ω,RL=0.9Ω

t_rr

Q_rr

I =20A, dI/dt=500A/μ s

I^F=20A, dI/dt=500A/μ s

*Pulse test ; Pulse width ≤300µs, Duty cycle ≤ 0.5% .

1 / 7

E-mail:hkt@heketai.com

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与AO4314相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AO4314 (KO4314)	KEXIN	获取价格	N-Channel MOSFET
AO4335 (KO4335)	KEXIN	获取价格	P-Channel MOSFET
AO4354	ALPHA	获取价格	30V N-Channel AlphaMOS
AO4354	FREESCALE	获取价格	30V N-Channel AlphaMOS
AO4354	AOS	获取价格	30V N-Channel AlphaMOS
AO4354 (KO4354)	KEXIN	获取价格	N-Channel MOSFET
AO4400	AOS	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4401	AOS	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4401	FREESCALE	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Low thermal impedance
AO4402	AOS	获取价格	20V N-Channel MOSFET

与AO4314相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AO4314

AO4314 数据手册

与AO4314相关器件

与AO4314相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AO4314

AO4314 数据手册

与AO4314相关器件

与AO4314相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？