Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> 3SK224-UIE-A

3SK224-UIE-A

更新时间： 2024-11-09 13:04:35

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体射频放大器晶体管场效应晶体管电视光电二极管栅
页数	文件大小	规格书
6页	55K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIMOLD PACKAGE-4

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3SK224-UIE-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MINIMOLD PACKAGE-4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.65	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	最大漏极电流 (ID)：	0.025 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	0.025 pF
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DUAL GATE, DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	15 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

3SK224-UIE-A 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

3SK224

RF AMPLIFIER FOR UHF TV TUNER

N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR

4 PINS MINI MOLD

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS

•

Low Noise Figure:

High Power Gain:

NF = 1.8 dB TYP. (f = 900 MHz)

G^PS= 17 dB TYP. (f = 900 MHz)

(Unit: mm)

+0.2

2.8

–0.1

Suitable for use as RF amplifier in UHF TV tuner.

+0.2

1.5

–0.1

Automatically Mounting:

Small Package:

Embossed Type Taping

4 Pins Mini Mold

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

Drain to Source Voltage

Gate1 to Source Voltage

Gate2 to Source Voltage

Gate1 to Drain Voltage

Gate2 to Drain Voltage

Drain Current

VDSX

V^G1S

V^G2S

VG1D

V^G2D

I^D

±8 (±10)^*1

5°

°C

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

*1 RL ≥ 10 kΩ

200

T^ch

125

1. Source

2. Drain

3. Gate 2

4. Gate 1

T^stg

–55 to +125

Document No. P10576EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TD-2265)

Date Published August 1995 P

Printed in Japan

1989

1993

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
3SK225	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL DUAL GATE MOS TYPE (TV, FM TUNER VHF RF, UHF RF AMPLIFIER APPLIATIONS)
3SK225_07	TOSHIBA	获取价格	Silicon N Channel Dual Gate MOS Type TV Tuner, VHF RF Amplifier Applications
3SK225TE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, FET RF Small Signal
3SK226	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL DUAL GATE MOS TYPE (TV TUNER, VHF RF AMPLIFIER , FM TUNER APPLICATIONS)
3SK226_07	TOSHIBA	获取价格	Silicon N Channel Dual Gate MOS Type TV Tuner, VHF RF Amplifier Applications
3SK226TE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, FET RF Small Signal
3SK226TE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, FET RF Small Signal
3SK227	PANASONIC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semico
3SK227H	PANASONIC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK228	ETC	获取价格

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