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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.28 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 13.5 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.03 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.03 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 0.05 pF |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DUAL GATE, DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp)： | 19 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 3SK225_07 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel Dual Gate MOS Type TV Tuner, VHF RF Amplifier Applications |
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| 3SK225TE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, FET RF Small Signal |
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| 3SK226 | TOSHIBA |
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N CHANNEL DUAL GATE MOS TYPE (TV TUNER, VHF RF AMPLIFIER , FM TUNER APPLICATIONS) |
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| 3SK226_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel Dual Gate MOS Type TV Tuner, VHF RF Amplifier Applications |
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| 3SK226TE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, FET RF Small Signal |
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| 3SK226TE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, FET RF Small Signal |
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| 3SK227 | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semico |
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| 3SK227H | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| 3SK228 | ETC |
获取价格 |
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| 3SK228XR-TL | RENESAS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars |
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