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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.92 | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 13.5 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.03 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 0.03 pF | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DUAL GATE, DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp)： | 23 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 3SK226TE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, FET RF Small Signal |
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| 3SK227 | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semico |
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| 3SK227H | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| 3SK228 | ETC |
获取价格 |
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| 3SK228XR-TL | RENESAS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars |
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| 3SK228XR-TR | RENESAS |
获取价格 |
UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET, MPAK-4 |
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| 3SK228XR-UL | RENESAS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars |
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| 3SK228XR-UR | RENESAS |
获取价格 |
UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET, MPAK-4 |
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| 3SK229 | ETC |
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| 3SK229XS-TL | RENESAS |
获取价格 |
80mA, 12V, N-CHANNEL, GaAs, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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