5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 3SK228
3SK228 PDF预览

3SK228

更新时间： 2024-11-08 23:21:11
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
6页 552K
描述

阅读下载

中文翻译

获取价格

3SK228 数据手册

 浏览型号3SK228的Datasheet PDF文件第2页浏览型号3SK228的Datasheet PDF文件第3页浏览型号3SK228的Datasheet PDF文件第4页浏览型号3SK228的Datasheet PDF文件第5页浏览型号3SK228的Datasheet PDF文件第6页 
3SK228  
GaAs Dual Gate MES FET  
UHF TV Tuner RF Amplifier  
Table 1 Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
MPAK-4  
Item  
——————————————————————–  
Drain to source voltage 12  
——————————————————————–  
Gate 1 to source voltage –6  
——————————————————————–  
Gate 2 to source voltage –6  
——————————————————————–  
Drain current 50 mA  
——————————————————————–  
Channel power dissipation Pch 150 mW  
——————————————————————–  
Channel temperature Tch 125 °C  
——————————————————————–  
Storage temperature Tstg –55 to +125 °C  
Symbol Rating  
Unit  
V
V
DS  
2
V
V
G1S  
3
V
V
1
G2S  
4
I
D
1. Source  
2. Gate 1  
3. Gate 2  
4. Drain  
——————————————————————–  
Table 2 Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Min Typ Max Unit Test condition  
———————————————————————————————————————————————–  
Drain to source cutoff current  
I
—
—
50  
µA  
V
V
= 12 V, V  
= –3 V,  
DSX  
DS  
G1S  
= 0  
G2S  
———————————————————————————————————————————————–  
Gate 1 to source breakdown voltage –6 = –10 µA,  
V
—
—
V
I
G1  
(BR)G1SS  
V
= V  
= 0  
G2S  
DS  
———————————————————————————————————————————————–  
Gate 2 to source breakdown voltage –6 = –10 µA,  
V
—
—
V
I
G2  
(BR)G2SS  
V
= V  
= 0  
G1S  
DS  
———————————————————————————————————————————————–  
Gate 1 cutoff current  
I
—
—
–5  
µA  
V
V
= –5 V,  
G1SS  
G1S  
G2S  
= V  
= 0  
DS  
———————————————————————————————————————————————–  
Gate 2 cutoff current  
I
—
—
–5  
µA  
V
V
= –5 V,  
G2SS  
G2S  
G15  
= V  
= 0  
DS  
———————————————————————————————————————————————–  
Drain current  
I
10  
17  
32  
mA  
V
V
= 5 V,  
DSS  
DS  
= V  
= 0  
G1S  
G2S  
———————————————————————————————————————————————–  
Gate 1 to source cutoff voltage –1.1 –1.5 = 5 V, V = 0,  
V
—
V
V
DS  
G1S(off)  
G2S  
I
= 100 µA  
D
———————————————————————————————————————————————–  
Gate 2 to source cutoff voltage –1.1 –1.5 = 5 V, V = 0,  
V
—
V
V
DS  
G2S(off)  
G1S  
I
= 100 µA  
D
———————————————————————————————————————————————–  
123456

中文翻译

下载PDF

与3SK228相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
3SK228XR-TL RENESAS

获取价格

 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars
3SK228XR-TR RENESAS

获取价格

 		UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET, MPAK-4
3SK228XR-UL RENESAS

获取价格

 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars
3SK228XR-UR RENESAS

获取价格

 		UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET, MPAK-4
3SK229 ETC

获取价格
3SK229XS-TL RENESAS

获取价格

 		80mA, 12V, N-CHANNEL, GaAs, SMALL SIGNAL, MOSFET
3SK229XS-TR RENESAS

获取价格

 		80mA, 12V, N-CHANNEL, GaAs, SMALL SIGNAL, MOSFET
3SK229XS-UL RENESAS

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.08A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Gallium Arsen
3SK229XS-UR RENESAS

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.08A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Gallium Arsen
3SK230-A NEC

获取价格

 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C

与3SK228相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证