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2SK3846

更新时间： 2024-09-16 04:26:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 转换器稳压器开关电机驱动
页数 文件大小 规格书
6页 182K
描述
Silicon N-Channel MOS Type Switching Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications

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2SK3846 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-67
包装说明：SC-67, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
雪崩能效等级（Eas）：63 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：26 A
最大漏源导通电阻：0.016 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：78 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3846 数据手册

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2SK3846  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U−MOSIII)  
2SK3846  
Switching Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive  
Applications  
Unit: mm  
z Low drain−source ON resistance  
z High forward transfer admittance  
: R  
= 12 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
: |Y | = 33 S (typ.)  
fs  
z Low leakage current : I  
= 100 μA (max) (V  
= 40 V)  
DSS  
DS  
z Enhancement mode : V = 1.5~2.5 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
DS D  
th  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Drain–source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
40  
40  
V
V
DSS  
Drain–gate voltage (R  
Gate–source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
±20  
26  
V
GSS  
DC (Note 1)  
Pulse (Note 1)  
I
A
D
Drain current  
I
78  
A
DP  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
25  
W
D
AS  
AR  
JEDEC  
JEITA  
―
Single-pulse avalanche energy  
E
63  
mJ  
(Note 2)  
SC-67  
2-10R1B  
Avalanche current  
I
26  
2.5  
A
TOSHIBA  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
Weight: 1.9 g (typ.)  
T
ch  
150  
Storage temperature range  
T
−55~150  
stg  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Max  
5.0  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal resistance, channel to case  
R
th (ch–c)  
th (ch–a)  
Thermal resistance, channel to  
ambient  
R
62.5  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: V = 25 V, T = 25°C (initial), L = 97 µH, I = 26 A, R = 25 Ω  
DD  
ch  
AR  
G
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2006-09-27  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3847 TOSHIBA

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