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2SK3441

更新时间： 2024-10-13 22:52:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 227K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII)

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2SK3441 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：End Of Life零件包装代码：SC-97
包装说明：SC-97, 4 PIN针数：4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.35
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：468 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.01 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F4
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3441 数据手册

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2SK3441  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII)  
2SK3441  
DC-DC Converter  
Relay Drive and Motor Drive Applications  
Unit: mm  
·
·
·
·
Low drain-source ON resistance: R  
= 4.5 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 80 S (typ.)  
fs  
= 100 µA (max) (V  
Low leakage current: I  
= 60 V)  
DSS  
DS  
Enhancement-mode: V = 1.3 to 2.5 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
th DS  
D
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
60  
60  
V
V
V
DSS  
DGR  
GSS  
Drain-gate voltage (R  
= 20 kW)  
V
V
GS  
Gate-source voltage  
±20  
75  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
<
Pulse (t 1 ms)  
=
I
300  
125  
468  
DP  
(Note 1)  
JEDEC  
JEITA  
―
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
W
D
AS  
AR  
SC-97  
2-9F1B  
Single pulse avalanche energy  
E
mJ  
(Note 2)  
TOSHIBA  
Avalanche current  
I
75  
12.5  
A
Weight: 0.74 g (typ.)  
Circuit Configuration  
Notice:  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
150  
ch  
Storage temperature range  
T
-55 to 150  
stg  
Thermal Characteristics  
Please use the S1 pin for gate  
input signal return. Make  
sure that the main current  
flows into S2 pin.  
Characteristics  
Symbol  
Max  
1.00  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
R
°C/W  
th (ch-c)  
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature  
is below 150°C.  
4
Note 2: V  
DD  
= 25 V, T = 25°C (initial), L = 113 mH, R = 25 W,  
ch  
= 75 A  
G
I
AR  
1
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel  
temperature  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with  
caution.  
2
3
1
2002-02-06  
123456

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