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2SK3447TZ-E

更新时间: 2024-10-14 06:25:31
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关小信号场效应晶体管电源开关
页数 文件大小 规格书
7页 80K
描述
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

2SK3447TZ-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92 Mod
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.84
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):1 A最大漏极电流 (ID):1 A
最大漏源导通电阻:2.5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e2湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.9 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK3447TZ-E 数据手册

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2SK3447  
Silicon N Channel Power MOS FET  
Power Switching  
REJ03G1101-0700  
(Previous: ADE-208-1567E)  
Rev.7.00  
Sep 07, 2005  
Features  
Capable of 4 V gate drive  
Low drive current  
Low on-resistance  
RDS (on) = 1.5 typ. (at VGS = 10 V)  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0003DC-A  
(Package name: TO-92MOD)  
D
1. Source  
2. Drain  
3. Gate  
G
3
2
1
S
Rev.7.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6  

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