5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SK3451-01MR
2SK3451-01MR PDF预览

2SK3451-01MR

更新时间： 2024-10-14 12:50:11
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI /
页数 文件大小 规格书
4页 110K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SK3451-01MR 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.71雪崩能效等级（Eas）：216.7 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：13 A最大漏源导通电阻：0.65 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3451-01MR 数据手册

 浏览型号2SK3451-01MR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3451-01MR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK3451-01MR的Datasheet PDF文件第4页 
2SK3451-01MR  
Super FAP-G Series  
Features  
FUJI POWER MOSFET200303  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings [mm]  
TO-220F  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
600  
Unit  
V
Drain-source voltage  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
Gate-source voltage  
Repetitive or non-repetitive  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
ID  
±13  
±52  
±30  
13  
A
Equivalent circuit schematic  
ID(puls]  
VGS  
A
V
IAR *2  
A
Drain(D)  
EAS*1  
dVDS/dt  
dV/dt *3  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
216.7  
20  
mJ  
kV/µs  
5
kV/µs  
W
°C  
°C  
2.16  
Gate(G)  
80  
+150  
Source(S)  
Operating and storage  
temperature range  
Isolation Voltage  
°C  
-55 to +150  
Tstg  
°C  
VISO *4  
2
<
kVrms  
*1 L=2.36mH, Vcc=60V, See to Avalanche Energy Graph *2 Tch=150°C  
<
<
<
*3 IF=-ID, -di/dt=50A/µs, Vcc=BVDSS, Tch=150°C *4 t=60sec, f=60Hz  
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Item  
µ
ID=250 A  
VGS=0V  
VDS=VGS  
V
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
600  
µ
ID= 250 A  
V
3.0  
5.0  
25  
Tch=25°C  
µA  
VDS=600V VGS=0V  
VDS=480V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
VDS=0V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
VGS=±30V  
nA  
10  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
ID=6A VGS=10V  
0.50  
0.65  
Ω
5.5  
11  
1600  
160  
7
S
ID=6A VDS=25V  
VDS=25V  
Ciss  
2400  
240  
pF  
VGS=0V  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
Output capacitance  
f=1MHz  
10.5  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
ns  
VCC=300V ID=6A  
18  
27  
16  
24  
VGS=10V  
35  
50  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
8
15  
34  
51  
VCC=300V  
ID=12A  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
12.5  
19  
QGS  
QGD  
IAV  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
11.5  
17.5  
VGS=10V  
13  
L=2.36mH Tch=25°C  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
1.00  
0.75  
6.5  
1.50  
IF=12A VGS=0V Tch=25°C  
IF=12A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
VSD  
trr  
Qrr  
V
µs  
µC  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
1.56  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
58.0  
°C/W  
1
1234

中文翻译

下载PDF

2SK3451-01MR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDA28N50F ONSEMI

功能相似

 功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，28 A，175
IXFH30N50Q3 IXYS

功能相似

 HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class
FDA28N50F FAIRCHILD

功能相似

 N-Channel MOSFET 500V, 28A, 0.175Ω

与2SK3451-01MR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3453 TOSHIBA

获取价格

 		Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications
2SK3453(F) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,700V V(BR)DSS,10A I(D),TO-247VAR
2SK3453_06 TOSHIBA

获取价格

 		Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications
2SK3453_09 TOSHIBA

获取价格

 		Switching Regulator Applications
2SK3454 NEC

获取价格

 		SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE
2SK3455 NEC

获取价格

 		SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3455-AZ NEC

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK3456 KEXIN

获取价格

 		MOS Field Effect Transistor
2SK3456 TYSEMI

获取价格

 		Low gate charge QG = 30 nC TYP. (VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 12 A)
2SK3456 NEC

获取价格

 		SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

与2SK3451-01MR相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证