是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-92 Mod |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.95 | 风险等级: | 5.75 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 150 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1 A | 最大漏极电流 (ID): | 1 A |
最大漏源导通电阻: | 2.5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-92 | JESD-30 代码: | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码: | e2 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.9 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Copper (Sn/Cu) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK3447 | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching | |
2SK3447TZ-E | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching | |
2SK3448 | SANYO |
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Ultrahigh-Speed Switching Use | |
2SK3449 | SANYO |
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DC / DC Converter Applications | |
2SK345 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB | |
2SK3450-01 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK3451-01 | FUJI |
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High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-p | |
2SK3451-01MR | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK3453 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications | |
2SK3453(F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,700V V(BR)DSS,10A I(D),TO-247VAR |