5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-92 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3446_05 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
|
| 2SK3446TZ-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
|
| 2SK3447 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
|
| 2SK3447TZ-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
|
| 2SK3448 | SANYO |
获取价格 |
Ultrahigh-Speed Switching Use |
|
| 2SK3449 | SANYO |
获取价格 |
DC / DC Converter Applications |
|
| 2SK345 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
|
| 2SK3450-01 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK3451-01 | FUJI |
获取价格 |
High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-p |
|
| 2SK3451-01MR | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
