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2SK3442

更新时间： 2024-11-20 22:52:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 206K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII)

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2SK3442 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：End Of Life零件包装代码：SC-97
包装说明：CHIP CARRIER, R-PBCC-N4针数：4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.36
雪崩能效等级（Eas）：468 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：45 A最大漏极电流 (ID)：45 A
最大漏源导通电阻：0.02 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PBCC-N4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3442 数据手册

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2SK3442  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII)  
2SK3442  
Switching Regulator, DC-DC Converter and  
Unit: mm  
Motor Drive Applications  
·
·
·
·
Low drain-source ON resistance: R  
= 15 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: ïY ï = 28 S (typ.)  
fs  
= 100 µA (V  
Low leakage current: I  
= 100 V)  
= 10 V, I = 1 mA)  
DSS  
DS  
Enhancement-mode: V = 2.0~4.0 V (V  
th DS  
D
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
100  
100  
±30  
45  
V
V
V
DSS  
DGR  
GSS  
Drain-gate voltage (R  
= 20 kW)  
V
V
GS  
Gate-source voltage  
DC (Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse  
I
180  
125  
468  
DP  
(Note 1)  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
W
JEDEC  
JEITA  
―
D
AS  
AR  
Single pulse avalanche energy  
(Note 2)  
SC-97  
2-9F1B  
E
mJ  
TOSHIBA  
Avalanche current  
I
45  
12.5  
A
Weight: 0.74 g (typ.)  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
150  
ch  
Storage temperature range  
T
-55~150  
stg  
Thermal Characteristics  
Notice:  
Characteristics  
Symbol  
Max  
1.00  
Unit  
°C/W  
Please use the S1 pin for gate input  
signal return. Make sure that the  
main current flows into S2 pin.  
Thermal resistance, channel to case  
R
th (ch-c)  
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature  
is below 150°C.  
4
Note 2  
V
DD  
= 25 V, T = 25°C (initial), L = 373 mH, R = 25 W, I = 45 A  
ch AR  
G
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
1
2
3
1
2002-08-29  
123456

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