2SK3455

更新时间： 2024-02-01 11:36:43

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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8页	66K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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2SK3455 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.34	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	103 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3455 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3455

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The 2SK3455 is N-channel DMOS FET device that

features a low gate charge and excellent switching

characteristics, designed for high voltage applications

such as switching power supply, AC adapter.

PART NUMBER

2SK3455

PACKAGE

Isolated TO-220

FEATURES

•Low gate charge

Q = 30 nC TYP. (V = 400 V, V = 10 V, I = 12 A)

•Gate voltage rating ±30 V

•Low on-state resistance

DS(on)

= 0.60 Ω MAX. (V = 10 V, I = 6.0 A)

•Avalanche capability ratings

•Isolated TO-220 package

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

DSS

GSS

Drain to Source Voltage (V = 0 V)

500

Gate to Source Voltage (V = 0 V)

±30

D(DC)

D(pulse)

Drain Current (DC) (T = 25°C)

±12

±36

2.0

Drain Current (Pulse) ^Note1

Total Power Dissipation (T = 25°C)

°C

Total Power Dissipation (T = 25°C)

Channel Temperature

150

stg

Storage Temperature

−55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

103

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T = 25°C, V = 150 V, R = 25 Ω, V = 20 → 0 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published May 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

D14757EJ1V0DS00 (1st edition)

2000

12 3 4 5 6 7 8

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与2SK3455相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3455-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK3456	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3456	TYSEMI	获取价格	Low gate charge QG = 30 nC TYP. (VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 12 A)
2SK3456	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3456	RENESAS	获取价格	12A, 500V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN
2SK3456-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK3456-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3456-S-AZ	RENESAS	获取价格	12A, 500V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, 3 PIN
2SK3456-Z-AZ	RENESAS	获取价格	Switching N-Channel Power Mosfet, MP-25Z, /Bag
2SK3456-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3456-Z-E2-AZ

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