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2SK3438

更新时间： 2024-11-18 04:26:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 驱动器转换器继电器电机DC-DC转换器
页数 文件大小 规格书
6页 208K
描述
Silicon N Channel MOS Type DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications

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2SK3438 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Lifetime Buy零件包装代码：SC-97
包装说明：CHIP CARRIER, R-PBCC-N4针数：4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.38
雪崩能效等级（Eas）：252 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A最大漏极电流 (ID)：10 A
最大漏源导通电阻：1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PBCC-N4元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：80 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3438 数据手册

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2SK3438  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSV)  
2SK3438  
DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive  
Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
Low drain-source ON resistance: R  
= 0.74 Ω (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 4.5 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= 100 μA (max) (V  
= 600 V)  
DSS  
DS  
Enhancement mode: V = 3.0~5.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
600  
600  
±30  
10  
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
GSS  
DC (Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse  
I
30  
80  
DP  
(Note 1)  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
W
D
AS  
AR  
JEDEC  
JEITA  
―
Single pulse avalanche energy  
E
252  
mJ  
(Note 2)  
SC-97  
2-9F1B  
Avalanche current  
I
10  
8
A
TOSHIBA  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
Weight: 0.74 g (typ.)  
T
150  
ch  
Storage temperature range  
T
−55~150  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and  
Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
4
Characteristics  
Symbol  
Max  
1.56  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
R
°C/W  
1
th (ch-c)  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 4.41 mH, R = 25 Ω, I  
V
DD  
= 10 A  
AR  
ch  
G
3
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.  
1
2006-11-08  
123456

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