2SK3357-A

更新时间： 2024-11-24 12:58:43

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日电电子 - NEC		开关
页数	文件大小	规格书
8页	70K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

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2SK3357-A 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.37
雪崩能效等级（Eas）：	562 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.0088 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3357-A 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3357

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

The 2SK3357 is N-channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PACKAGE

TO-3P

2SK3357

FEATURES

• Super low on-state resistance:

DS(on)1

= 5.8 mΩ MAX. (V = 10 V, I = 38 A)

(TO-3P)

DS(on)2

= 8.8 mΩ MAX. (V = 4.0 V, I = 38 A)

iss

• Low C : C = 9800 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage

V^DSS

V^GSS(AC)

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

±20

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

±75

Drain Current (pulse) ^Note1

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

±300

150

°C

P^T

3.0

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

562

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1 %

2. Starting T^ch= 25°C, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 V → 0 V

THERMAL RESISTANCE

th(ch-C)

Channel to Case

0.83

41.7

°C/W

th(ch-A)

Channel to Ambient

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availability and additional information.

Document No.

Date Published May 2000 NS CP(K)

Printed in Japan

D14134EJ2V0DS00 (2nd edition)

The mark ★ shows major revised points.

1999, 2000

12 3 4 5 6 7 8

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