5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2SK3366
2SK3366 PDF预览

2SK3366

更新时间： 2024-11-19 22:52:55
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
8页 74K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SK3366 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TO-251, MP-3, 3 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.76外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.043 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3366 数据手册

 浏览型号2SK3366的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3366的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK3366的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK3366的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK3366的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK3366的Datasheet PDF文件第7页 
DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK3366  
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
INDUSTRIAL USE  
DESCRIPTION  
The 2SK3366 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for DC/DC converter application of notebook  
computers.  
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
2SK3366  
FEATURES  
• Low on-resistance  
DS(on)1  
PACKAGE  
TO-251  
GS  
D
R
R
R
= 21 mΩ (MAX.) (V = 10 V, I = 10 A)  
DS(on)2  
DS(on)3  
GS  
D
= 33 mΩ (MAX.) (V = 4.5 V, I = 10 A)  
GS  
D
= 43 mΩ (MAX.) (V = 4.0 V, I = 10 A)  
2SK3366-Z  
TO-252  
iss  
iss  
• Low C : C = 730 pF (TYP.)  
• Built-in gate protection diode  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
GS  
DSS  
Drain to Source Voltage (V = 0 V)  
V
V
30  
±20  
±20  
±80  
30  
V
V
DS  
GSS  
Gate to Source Voltage (V = 0 V)  
D(DC)  
Drain Current (DC)  
Drain Current (Pulse) Note  
I
A
D(pulse)  
I
A
C
T
P
Total Power Dissipation (T = 25 °C)  
W
W
°C  
A
T
P
Total Power Dissipation (T = 25 °C)  
1.0  
150  
ch  
T
Channel Temperature  
Storage Temperature  
stg  
T
–55 to + 150 °C  
Note PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1 %  
THERMAL RESISTANCE  
Channel to case  
th(ch-C)  
R
4.17  
125  
°C/W  
°C/W  
th(ch-A)  
R
Channel to ambient  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No.  
Date Published August 1999 NS CP(K)  
Printed in Japan  
D14256EJ1V0DS00 (1st edition)  
1999  
©
12345678

中文翻译

下载PDF

与2SK3366相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3366-Z NEC

获取价格

 		SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3366-Z-AZ NEC

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
2SK3367 TYSEMI

获取价格

 		Low on-resistance RDS(on)1 = 9.0 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A)
2SK3367 RENESAS

获取价格

 		36000mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA, TO-251, MP-3, 3 PIN
2SK3367 NEC

获取价格

 		SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3367 KEXIN

获取价格

 		MOS Field Effect Transistor
2SK3367(0)-Z-E1-AZ RENESAS

获取价格

 		Nch Single Power Mosfet 30V 36A 9.0Mohm Mp-3Z/To-252, MP-3Z, /Embossed Tape
2SK3367-AZ RENESAS

获取价格

 		Switching N-Channel Power Mosfet, MP-3, /Bag
2SK3367-Z NEC

获取价格

 		SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3367-Z RENESAS

获取价格

 		36000mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA, TO-252, MP-3Z, 3 PIN

与2SK3366相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证