5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Lifetime Buy |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.23 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最大漏极电流 (ID)： | 0.00024 A |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3376TK-B | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.34 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, LEAD FREE, 2-1R1A, TESM3, 3 PIN, FE |
|
| 2SK3376TK-BK | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.39 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, LEAD FREE, 2-1R1A, TESM3, 3 PIN, FE |
|
| 2SK3376TK-C | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SK3376TV | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel Junction Type For ECM |
|
| 2SK3376TV-A | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SK3376TV-B | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SK3376TV-BK | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.39 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, VESM2, 2-1H1A, 3 PIN, FET General P |
|
| 2SK3376TV-C | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SK3377 | KEXIN |
获取价格 |
MOS Field Effect Transistor |
|
| 2SK3377 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
