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2SK3385-AZ

更新时间： 2024-11-21 20:55:07

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		/
页数	文件大小	规格书
8页	130K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, TO-251, MP-3, 3 PIN

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2SK3385-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.17
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.045 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3385-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3385

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

ORDERING INFORMATION

★

DESCRIPTION

The 2SK3385 is N-Channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PART NUMBER

PACKAGE

2SK3385

TO-251 (MP-3)

TO-252 (MP-3Z)

2SK3385-Z

FEATURES

• Low on-state resistance

R^DS(on)1= 28 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A)

R^DS(on)2= 45 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 15 A)

• Low C^iss: Ciss = 1500 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

• TO-251/TO-252 package

(TO-251)

(TO-252)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (VDS = 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

PT1

±20

±30

±100

Total Power Dissipation (TC = 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

1.0

Tch

150

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = 30 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No.

D14472EJ3V0DS00 (3rd edition)

The mark ★ shows major revised points.

Date Published August 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

1999, 2001

12 3 4 5 6 7 8

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与2SK3385-AZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3385-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3385-Z-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
2SK3385-Z-E1	RENESAS	获取价格	2SK3385-Z-E1
2SK3386	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3386	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3386	TYSEMI	获取价格	Low on-resistance RDS(on)1 = 21 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 17A)
2SK3386	RENESAS	获取价格	34000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA, TO-251, MP-3, 3 PIN
2SK3386(0)-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,34A I(D),TO-251AA
2SK3386(0)-Z-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,34A I(D),TO-252AA
2SK3386(0)-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,34A I(D),TO-252AA

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