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2SK3387(TE24L)

更新时间： 2024-11-21 20:09:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
6页 207K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,150V V(BR)DSS,18A I(D),SMT

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2SK3387(TE24L) 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.88
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：100 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

2SK3387(TE24L) 数据手册

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2SK3387  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L2-F-MOSV)  
2SK3387  
Switching Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive  
Unit: mm  
Applications  
·
·
·
·
·
4 V gate drive  
Low drain-source ON resistance: R  
= 0.08 Ω(typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: ïY ï = 17 S (typ.)  
fs  
= 100 µA (V  
Low leakage current: I  
= 150 V)  
= 10 V, I = 1 mA)  
DSS  
DS  
Enhancement-mode: V = 0.8~2.0 V (V  
th DS  
D
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
V
V
V
150  
150  
±20  
18  
V
V
V
DSS  
DGR  
GSS  
= 20 kW)  
GS  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse (Note 1)  
I
54  
DP  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
100  
W
D
AS  
AR  
JEDEC  
JEITA  
―
Single pulse avalanche energy  
E
176  
mJ  
(Note 2)  
SC-97  
2-9F1B  
Avalanche current  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
I
18  
10  
150  
A
TOSHIBA  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
Weight: 0.74 g (typ.)  
T
ch  
Storage temperature range  
T
-55~150  
stg  
Thermal Characteristics  
Notice:  
Characteristics  
Symbol  
Max  
1.25  
Unit  
°C/W  
Please use the S1 pin for gate input  
signal return. Make sure that the  
main current flows into S2 pin.  
Thermal resistance, channel to case  
R
th (ch-c)  
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is  
below 150°C.  
4
Note 2: V  
DD  
= 50 V, T = 25°C (initial), L = 800 mH, R = 25 W, I = 18 A  
ch AR  
G
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by max junction temperature  
This transistor is an electrostatic sensitive device.  
Please handle with caution.  
1
2
3
1
2002-07-22  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3387_06 TOSHIBA

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2SK3388 TOSHIBA

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 		TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
2SK3388(TE24L) TOSHIBA

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 		2SK3388(TE24L)
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