2SK3391

更新时间： 2024-11-24 22:52:59

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瑞萨 - RENESAS		晶体放大器射频场效应晶体管功率放大器
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描述
Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier

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2SK3391 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.18
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	17 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.3 A	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3391 数据手册

2SK3391

Silicon N-Channel MOS FET

UHF Power Amplifier

REJ03G0209-0200Z

(Previous ADE-208-847 (Z))

Rev.2.00

Apr.14.2004

Features

•

High power output, High gain, High efficiency

PG = 18 dB, Pout = 1.6 W, ηadd = 58% min. (f = 836 MHz)

Compact package capable of surface mounting

•

Outline

UPAK

1. Gate

2. Source

3. Drain

4. Source

2,4

Note:

Marking is “JX“.

This Device is sensitive to Electro Static Discharge. An Adequate handling procedure is requested.

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

±10

0.3

Note1

Drain peak current

Channel dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Notes: 1. PW < 1sec, Tch < 150°C

2. Value at Tc = 25°C

I_D(pulse)

Pch ^Note2

Tch

0.75

°C

150

Tstg

–45 to +150

Rev.2.00, Apr.14.2004, page 1 of 4

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