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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2SK3386-AZ
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2SK3386-AZ

更新时间： 2024-02-17 04:00:46
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
4页 44K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 34A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, TO-251, MP-3, 3 PIN

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2SK3386-AZ 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TO-252AB
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.15
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：34 A
最大漏源导通电阻：0.036 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3386-AZ 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK3386  
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
INDUSTRIAL USE  
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
2SK3386  
DESCRIPTION  
The 2SK3386 is N-Channel MOS Field Effect Transistor  
designed for high current switching applications.  
PACKAGE  
TO-251  
2SK3386-Z  
TO-252  
FEATURES  
• Low On-state Resistance  
★
★
DS(on)1  
GS  
D
R
R
= 21 mΩ MAX. (V = 10 V, I = 17 A)  
DS(on)2  
GS  
D
= 36 mΩ MAX. (V = 4.0 V, I = 17 A)  
iss  
iss  
• Low C : C = 2100 pF TYP.  
• Built-in Gate Protection Diode  
• TO-251/TO-252 package  
(TO-251)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
DSS  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current (DC)  
V
V
60  
V
GSS  
±20  
±34  
V
A
D(DC)  
I
Drain Current (Pulse) Note1  
D(pulse)  
★
★
I
±120  
40  
A
(TO-252)  
C
T
P
Total Power Dissipation (T = 25°C)  
W
W
°C  
°C  
A
A
T
P
Total Power Dissipation (T = 25°C)  
1.0  
ch  
T
Channel Temperature  
150  
stg  
Storage Temperature  
T
–55 to +150  
28  
Single Avalanche Current Note2  
Single Avalanche Energy Note2  
AS  
★
★
I
AS  
E
78  
mJ  
Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1 %  
2. Starting Tch = 25 °C, RG = 25 Ω, VGS = 20 V → 0 V  
THERMAL RESISTANCE  
th(ch-C)  
★
Channel to Case  
R
3.13  
125  
°C/W  
°C/W  
th(ch-A)  
R
Channel to Ambient  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No.  
Date Published January 2000 NS CP(K)  
Printed in Japan  
D14471EJ1V0DS00 (1st edition)  
The mark ★ shows major revised points.  
1999,2000  
©
1234

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