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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.83 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.078 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3377-ZK-E2-AY | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,20A I(D),TO-252VAR |
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| 2SK3378 | HITACHI |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
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| 2SK3378 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
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| 2SK3378ENTL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
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| 2SK3378ENTR-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
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| 2SK338 | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK3380 | HITACHI |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
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| 2SK3385 | KEXIN |
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MOS Field Effect Transistor |
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| 2SK3385 | TYSEMI |
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Low on-resistance RDS(on)1 = 28 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A) |
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| 2SK3385 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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