2SK3378

更新时间： 2024-11-17 22:52:59

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日立 - HITACHI		晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
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5页	30K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching

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2SK3378 数据手册

2SK3378

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Switching

ADE-208-805 (Z)

1st.Edition.

June 1999

Features

•

Low on-resistance

R_DS=2.7 Ω typ. (V_GS= 10 V , I_D= 50 mA)

R_DS= 4.7 Ω typ. (V_GS= 4 V , I_D= 20 mA)

4 V gate drive device.

•

Small package (CMPAK)

Outline

CMPAK

1. Source

2. Gate

3. Drain

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3378ENTL-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching
2SK3378ENTR-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching
2SK338	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK3380	HITACHI	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching
2SK3385	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3385	TYSEMI	获取价格	Low on-resistance RDS(on)1 = 28 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A)
2SK3385	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3385(0)-Z-E1	RENESAS	获取价格	2SK3385(0)-Z-E1
2SK3385-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
2SK3385-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE