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2SK3385

更新时间： 2024-01-25 16:40:27

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科信 - KEXIN		晶体晶体管开关
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MOS Field Effect Transistor

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2SK3385 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252AB
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.34
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.045 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

2SK3385 数据手册

SMD Type

MOSFICET

MOS Field Effect Transistor

2SK3385

TO-252

Unit: mm

+0.15

-0.15

+0.1

2.30

-0.1

6.50

+0.2

5.30

-0.2

+0.8

0.50

-0.7

Features

Low on-resistance

R^DS(on)1= 28 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A)

R^DS(on)2= 45 m MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 15 A)

Low Ciss : Ciss = 1500 pF TYP.

Built-in gate protection diode

0.127

max

+0.1

0.80

-0.1

+0.1

0.60

-0.1

2.3

4.60

1 Gate

+0.15

-0.15

2 Drain

3 Source

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage

Symbol

V^DSS

V^GSS

I^D

Rating

Unit

Gate to source voltage

Drain current

I^dp*

100

Power dissipation

T^C=25

T^A=25

P^D

1.0

Channel temperature

Storage temperature

T^ch

150

Tstg

-55 to +150

* PW 10 s,Duty Cycle 1%

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Drain cut-off current

Gate leakage current

Gat cutoff voltage

Symbol

Testconditons

VDS=60V,VGS=0

Min

Typ

Max

Unit

I^DSS

I^GSS

V^GS(off)

Yfs

VGS= 20V,VDS=0

VDS=10V,ID=1mA

VDS=10V,ID=15A

VGS=10V,ID=15A

VGS=4.0V,ID=15A

1.5

2.0

2.5

Forward transfer admittance

R^DS(on)1

RDS(on)2

Ciss

Drain to source on-state resistance

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

1500

250

130

V^DS=10V,VGS=0,f=1MHZ

C^oss

C^rss

t^on

t^r

250

I^D=15A,VGS(on)=10V,RG=10 ,VDD=30V

Turn-off delay time

Fall time

t^off

Total Gate Charge

Gate to Source Charge

Gate to Drain Charge

Q^G

I^D=30 A, VDD = 48 V, VGS = 10 V

Q^GS

Q^GD

4.8

8.6

www.kexin.com.cn

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