2SK3378

更新时间： 2024-11-18 05:56:23

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管光电二极管
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching

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2SK3378 技术参数

生命周期：	End Of Life	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.36	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.1 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SK3378 数据手册

2SK3378

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Switching

REJ03G1599-0200

(Previous: ADE-208-805)

Rev.2.00

Oct 23, 2007

Features

•

Low on-resistance

R_DS= 2.7 Ω typ. (V_GS= 10 V, I_D= 50 mA)

_DS= 4.7 Ω typ. (V_GS= 4 V, I_D= 20 mA)

•

4 V gate drive device.

Small package (CMPAK)

Outline

RENESAS Package code: PTSP0003ZA-A

(Package name: CMPAK ^R

)

1. Source

2. Gate

3. Drain

Note: Marking is EN

*CMPAK is a trademark of Renesas Technology Corp.

Absolute Maximum Rating

(Ta = 25°C)

Unit

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

±20

100

°C

Note1

Drain peak current

I_D(pulse)

400

Body-drain diode reverse drain current

Channel dissipation

I_DR

100

Pch ^{Note 2}

Tch

300

Channel temperature

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

Note: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. Value on the alumina ceramic board (12.5 x 20 x 0.7 mm)

REJ03G1599-0200 Rev.2.00 Oct 23, 2007

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