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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252AB | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.3 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.078 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3377-Z-E1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Power MOSFETs for Automotive, MP-3Z, / |
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| 2SK3377-Z-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Power MOSFETs for Automotive, MP-3Z, / |
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| 2SK3377-ZK-E1-AY | RENESAS |
获取价格 |
Nch Single Power Mosfet 60V 20A 44Mohm, MP-3ZK, /Embossed Tape |
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| 2SK3377-ZK-E2-AY | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,20A I(D),TO-252VAR |
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| 2SK3378 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
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| 2SK3378 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
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| 2SK3378ENTL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
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| 2SK3378ENTR-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
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| 2SK338 | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK3380 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
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