5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | LEAD FREE, 2-1H1A, VESM2, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.23 |
| 外壳连接： | GATE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.00039 A | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3376TV-C | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SK3377 | KEXIN |
获取价格 |
MOS Field Effect Transistor |
|
| 2SK3377 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
|
| 2SK3377 | TYSEMI |
获取价格 |
Low on-resistance RDS(on)1 = 44 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 10 A) |
|
| 2SK3377(0)-Z-E1 | RENESAS |
获取价格 |
2SK3377(0)-Z-E1 |
|
| 2SK3377(0)-Z-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Power MOSFETs for Automotive, MP-3Z, / |
|
| 2SK3377-Z | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
|
| 2SK3377-Z | RENESAS |
获取价格 |
20000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA, MP-3Z, 3 PIN |
|
| 2SK3377-Z-E1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Power MOSFETs for Automotive, MP-3Z, / |
|
| 2SK3377-Z-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Power MOSFETs for Automotive, MP-3Z, / |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
