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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2SK3377
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2SK3377

更新时间： 2024-11-17 22:52:59
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日电电子 - NEC 晶体小信号场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
4页 44K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK3377 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：MP-3, 3 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.76Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.078 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3377 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK3377  
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
INDUSTRIAL USE  
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
2SK3377  
DESCRIPTION  
The 2SK3377 is N-Channel MOS Field Effect Transistor  
designed for high current switching applications.  
PACKAGE  
TO-251  
2SK3377-Z  
TO-252  
FEATURES  
• Low On-state Resistance  
DS(on)1  
GS  
D
★
★
★
R
R
= 44 mΩ MAX. (V = 10 V, I = 10 A)  
DS(on)2  
GS  
D
= 78 mΩ MAX. (V = 4.0 V, I = 10 A)  
iss  
iss  
• Low C : C = 760 pF TYP.  
• Built-in Gate Protection Diode  
• TO-251/TO-252 package  
(TO-251)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
DSS  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current (DC)  
V
V
60  
V
GSS  
±20  
V
A
D(DC)  
I
±20  
Drain Current (Pulse) Note1  
D(pulse)  
★
I
±50  
A
(TO-252)  
C
T
Total Power Dissipation (T = 25°C)  
P
30  
W
W
°C  
°C  
A
A
T
P
Total Power Dissipation (T = 25°C)  
1.0  
150  
ch  
Channel Temperature  
T
stg  
Storage Temperature  
T
–55 to +150  
15  
★
★
Single Avalanche Current Note2  
Single Avalanche Energy Note2  
AS  
I
AS  
E
23  
mJ  
Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1 %  
2. Starting Tch = 25 °C, RG = 25 Ω, VGS = 20 V → 0 V  
THERMAL RESISTANCE  
th(ch-C)  
Channel to Case  
R
4.17  
125  
°C/W  
°C/W  
th(ch-A)  
R
Channel to Ambient  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No.  
Date Published January 2000 NS CP(K)  
Printed in Japan  
D14328EJ1V0DS00 (1st edition)  
The mark ★ shows major revised points.  
1999,2000  
©
1234

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