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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2SK3366-Z-AZ
2SK3366-Z-AZ PDF预览

2SK3366-Z-AZ

更新时间： 2024-11-18 13:04:27
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
8页 74K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AB, TO-252, MP-3Z, 3 PIN

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2SK3366-Z-AZ 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TO-252AB
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.17
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.043 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3366-Z-AZ 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK3366  
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
INDUSTRIAL USE  
DESCRIPTION  
The 2SK3366 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for DC/DC converter application of notebook  
computers.  
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
2SK3366  
FEATURES  
• Low on-resistance  
DS(on)1  
PACKAGE  
TO-251  
GS  
D
R
R
R
= 21 mΩ (MAX.) (V = 10 V, I = 10 A)  
DS(on)2  
DS(on)3  
GS  
D
= 33 mΩ (MAX.) (V = 4.5 V, I = 10 A)  
GS  
D
= 43 mΩ (MAX.) (V = 4.0 V, I = 10 A)  
2SK3366-Z  
TO-252  
iss  
iss  
• Low C : C = 730 pF (TYP.)  
• Built-in gate protection diode  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
GS  
DSS  
Drain to Source Voltage (V = 0 V)  
V
V
30  
±20  
±20  
±80  
30  
V
V
DS  
GSS  
Gate to Source Voltage (V = 0 V)  
D(DC)  
Drain Current (DC)  
Drain Current (Pulse) Note  
I
A
D(pulse)  
I
A
C
T
P
Total Power Dissipation (T = 25 °C)  
W
W
°C  
A
T
P
Total Power Dissipation (T = 25 °C)  
1.0  
150  
ch  
T
Channel Temperature  
Storage Temperature  
stg  
T
–55 to + 150 °C  
Note PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1 %  
THERMAL RESISTANCE  
Channel to case  
th(ch-C)  
R
4.17  
125  
°C/W  
°C/W  
th(ch-A)  
R
Channel to ambient  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No.  
Date Published August 1999 NS CP(K)  
Printed in Japan  
D14256EJ1V0DS00 (1st edition)  
1999  
©
12345678

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与2SK3366-Z-AZ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3367 TYSEMI

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 		Low on-resistance RDS(on)1 = 9.0 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A)
2SK3367 RENESAS

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 		36000mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA, TO-251, MP-3, 3 PIN
2SK3367 NEC

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 		SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3367 KEXIN

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 		MOS Field Effect Transistor
2SK3367(0)-Z-E1-AZ RENESAS

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 		Nch Single Power Mosfet 30V 36A 9.0Mohm Mp-3Z/To-252, MP-3Z, /Embossed Tape
2SK3367-AZ RENESAS

获取价格

 		Switching N-Channel Power Mosfet, MP-3, /Bag
2SK3367-Z NEC

获取价格

 		SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3367-Z RENESAS

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 		36000mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA, TO-252, MP-3Z, 3 PIN
2SK3367-Z-AZ NEC

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 36A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
2SK3367-Z-E1 RENESAS

获取价格

 		2SK3367-Z-E1

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