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2SK3367

更新时间： 2024-02-08 07:55:46
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科信 - KEXIN 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
1页 47K
描述
MOS Field Effect Transistor

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2SK3367 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：MP-3Z包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.25外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：36 A最大漏极电流 (ID)：36 A
最大漏源导通电阻：0.014 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：40 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3367 数据手册

  
SMD Type  
MOSFET  
MOS Field Effect Transistor  
2SK3367  
TO-252  
Unit: mm  
+0.15  
-0.15  
+0.1  
2.30  
-0.1  
6.50  
Features  
+0.2  
5.30  
-0.2  
+0.8  
0.50  
-0.7  
Low on-resistance  
RDS(on)1 = 9.0 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A)  
RDS(on)2 = 12.0 m MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 18 A)  
RDS(on)3 = 14.0 m MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 18 A)  
Low Ciss : Ciss = 2800 pF TYP.  
0.127  
max  
+0.1  
0.80  
-0.1  
+0.1  
0.60  
-0.1  
2.3  
4.60  
1 Gate  
Built-in gate protection diode  
+0.15  
-0.15  
2 Drain  
3 Source  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
Drain to source voltage  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Rating  
Unit  
V
30  
20  
Gate to source voltage  
V
A
36  
Drain current  
Idp *  
A
144  
40  
Power dissipation  
TC=25  
TA=25  
PD  
W
1.0  
Channel temperature  
Storage temperature  
Tch  
150  
Tstg  
-55 to +150  
* PW 10 s,Duty Cycle 1%  
Electrical Characteristics Ta = 25  
Parameter  
Drain cut-off current  
Gate leakage current  
Gat cutoff voltage  
Symbol  
Testconditons  
VDS=30V,VGS=0  
Min  
Typ  
Max  
10  
Unit  
A
IDSS  
IGSS  
VGS(off)  
Yfs  
VGS= 20V,VDS=0  
VDS=10V,ID=1mA  
VDS=10V,ID=18A  
VGS=10V,ID=18A  
VGS=4.5V,ID=18A  
VGS=4.0V,ID=18A  
10  
A
1.5  
13  
2.0  
26  
2.5  
V
Forward transfer admittance  
S
RDS(on)1  
RDS(on)2  
RDS(on)3  
Ciss  
7.3  
9.0  
9.7  
2800  
880  
400  
75  
9.0  
m
Drain to source on-state resistance  
12.0  
14.0  
m
m
Input capacitance  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on delay time  
Rise time  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
nC  
nC  
nC  
VDS=10V,VGS=0,f=1MHZ  
Coss  
Crss  
ton  
tr  
1130  
165  
210  
49  
ID=18A,VGS(on)=10V,RG=10 ,VDD=15V  
Turn-off delay time  
Fall time  
toff  
tf  
Total Gate Charge  
Gate to Source Charge  
Gate to Drain Charge  
QG  
ID = 36 A, VDD = 24 V, VGS = 10 V  
QGS  
QGD  
10  
14  
1
www.kexin.com.cn  
1

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