2SK3359-S

更新时间： 2024-02-13 05:33:32

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK3359-S 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
雪崩能效等级（Eas）：	250 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	70 A	最大漏源导通电阻：	0.02 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	280 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3359-S 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3359

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SK3359

The 2SK3359 is N-Channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3359-S

FEATURES

• Low on-state resistance

2SK3359-Z

TO-220SMD

DS(on)1

= 20 mΩ MAX. (V = 10 V, I = 35 A)

DS(on)2

★

= 28 mΩ MAX. (V = 4.5 V, I = 30 A)

iss

• Low C : C = 4900 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 °C)

DSS

Drain to Source Voltage (V = 0 V)

100

GSS(AC)

Gate to Source Voltage (V = 0 V)

±20

+20, −10

±70

GSS(DC)

Gate to Source Voltage (V = 0 V)

D(DC)

Drain Current (DC)

Drain Current (Pulse) ^Note1

D(pulse)

±280

100

(TO-262)

Total Power Dissipation (T = 25°C)

°C

Total Power Dissipation (T = 25°C)

1.5

Channel Temperature

150

stg

Storage Temperature

–55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

250

(TO-220SMD)

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1 %

2. Starting T^ch= 25 °C, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 V → 0 V

THERMAL RESISTANCE

th(ch-C)

Channel to Case

1.25

83.3

°C/W

th(ch-A)

Channel to Ambient

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Document No.

Date Published April 2000 NS CP(K)

Printed in Japan

D14323EJ1V0DS00 (1st edition)

1999

★

The mark shows major revised points.

12 3 4

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