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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3359-Z
2SK3359-Z PDF预览

2SK3359-Z

更新时间： 2024-11-17 22:52:55
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
4页 50K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK3359-Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：TO-220SMD, 3 PIN
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
雪崩能效等级（Eas）：250 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：70 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3359-Z 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK3359  
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
INDUSTRIAL USE  
DESCRIPTION  
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
2SK3359  
The 2SK3359 is N-Channel MOS Field Effect Transistor  
designed for high current switching applications.  
PACKAGE  
TO-220AB  
TO-262  
2SK3359-S  
FEATURES  
• Low on-state resistance  
2SK3359-Z  
TO-220SMD  
DS(on)1  
GS  
D
R
R
= 20 mΩ MAX. (V = 10 V, I = 35 A)  
DS(on)2  
GS  
D
★
★
= 28 mΩ MAX. (V = 4.5 V, I = 30 A)  
iss  
iss  
• Low C : C = 4900 pF TYP.  
• Built-in gate protection diode  
(TO-220AB)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
GS  
DSS  
Drain to Source Voltage (V = 0 V)  
V
100  
V
V
DS  
GSS(AC)  
Gate to Source Voltage (V = 0 V)  
V
V
±20  
+20, −10  
±70  
DS  
GSS(DC)  
Gate to Source Voltage (V = 0 V)  
V
D(DC)  
Drain Current (DC)  
I
A
Drain Current (Pulse) Note1  
D(pulse)  
I
±280  
100  
A
(TO-262)  
C
T
P
Total Power Dissipation (T = 25°C)  
W
W
°C  
°C  
A
A
T
P
Total Power Dissipation (T = 25°C)  
1.5  
ch  
T
Channel Temperature  
150  
stg  
Storage Temperature  
T
–55 to +150  
50  
Single Avalanche Current Note2  
Single Avalanche Energy Note2  
AS  
I
AS  
E
250  
mJ  
(TO-220SMD)  
Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1 %  
2. Starting Tch = 25 °C, RG = 25 Ω, VGS = 20 V → 0 V  
THERMAL RESISTANCE  
th(ch-C)  
Channel to Case  
R
1.25  
83.3  
°C/W  
°C/W  
th(ch-A)  
R
Channel to Ambient  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No.  
Date Published April 2000 NS CP(K)  
Printed in Japan  
D14323EJ1V0DS00 (1st edition)  
1999  
★
©
The mark shows major revised points.  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 14 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A)

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