2SK3365-Z

更新时间： 2024-01-19 10:08:05

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日电电子 - NEC		晶体小信号场效应晶体管开关
页数	文件大小	规格书
8页	65K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK3365-Z 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MP-3Z	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.23	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.029 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	36 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3365-Z 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3365

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The 2SK3365 is N-Channel MOS Field Effect Transistor

designed for DC/DC converters application of notebook

computers.

PART NUMBER

2SK3365

PACKAGE

TO-251

2SK3365-Z

TO-252

FEATURES

• Low on-resistance

DS(on)1

DS(on)2

DS(on)3

= 14 mΩ (MAX.) (V = 10 V, I = 15 A)

= 21 mΩ (MAX.) (V = 4.5 V, I = 15 A)

= 29 mΩ (MAX.) (V = 4.0 V, I = 15 A)

iss

• Low C : C = 1300 pF (TYP.)

• Built-in gate protection diode

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 °C)

DSS

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC)

±20

±30

±120

GSS

D(DC)

Drain Current (Pulse) ^Note

D(pulse)

Total Power Dissipation (T = 25 °C)

°C

Total Power Dissipation (T = 25 °C)

1.0

Channel Temperature

Storage Temperature

150

stg

–55 to + 150 °C

Note PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1 %

THERMAL RESISTANCE

Channel to case

th(ch-C)

3.48

125

°C/W

th(ch-A)

Channel to ambient

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Document No.

Date Published September 1999 NS CP(K)

Printed in Japan

D14255EJ1V0DS00 (1st edition)

1999

12 3 4 5 6 7 8

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与2SK3365-Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3365-Z-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
2SK3365-Z-E1	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,30A I(D),TO-252AA
2SK3365-Z-E2	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,30A I(D),TO-252AA
2SK3366	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3366	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3366	TYSEMI	获取价格	Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 21 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 10 A)
2SK3366-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3366-Z-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
2SK3367	TYSEMI	获取价格	Low on-resistance RDS(on)1 = 9.0 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A)
2SK3367	RENESAS	获取价格	36000mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA, TO-251, MP-3, 3 PIN

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