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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 867 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.017 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3363-01 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK3364-01 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK3365 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3365 | KEXIN |
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MOS Field Effect Transistor |
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| 2SK3365 | TYSEMI |
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Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 14 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A) |
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| 2SK3365 | RENESAS |
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30000mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA, TO-251, MP-3, 3 PIN |
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| 2SK3365(0)-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,30A I(D),TO-251AA |
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| 2SK3365(0)-Z-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,30A I(D),TO-252AA |
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| 2SK3365-AZ | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SK3365-Z | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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