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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.91 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.4 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.6 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3360 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3361 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3362 | FUJI |
获取价格 |
POWER MOSFET |
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| 2SK3362-01 | FUJI |
获取价格 |
MOSFETs |
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| 2SK3363-01 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK3364-01 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK3365 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3365 | KEXIN |
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MOS Field Effect Transistor |
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| 2SK3365 | TYSEMI |
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Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 14 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A) |
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| 2SK3365 | RENESAS |
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30000mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA, TO-251, MP-3, 3 PIN |
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