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2SK3358-Z

更新时间： 2024-11-23 22:52:55
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
4页 50K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK3358-Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：152 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：55 A
最大漏源导通电阻：0.03 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：165 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3358-Z 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK3358  
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
INDUSTRIAL USE  
DESCRIPTION  
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
2SK3358  
The 2SK3358 is N-Channel MOS Field Effect Transistor  
designed for high current switching applications.  
PACKAGE  
TO-220AB  
TO-262  
2SK3358-S  
FEATURES  
• Low on-state resistance  
2SK3358-Z  
TO-220SMD  
DS(on)1  
GS  
D
R
R
= 30 mΩ MAX. (V = 10 V, I = 28 A)  
DS(on)2  
GS  
D
= 40 mΩ MAX. (V = 4.5 V, I = 20 A)  
★
★
iss  
iss  
• Low C : C = 3200 pF TYP.  
• Built-in gate protection diode  
(TO-220AB)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
GS  
DSS  
Drain to Source Voltage (V = 0 V)  
V
100  
V
V
DS  
GSS(AC)  
Gate to Source Voltage (V = 0 V)  
V
V
±20  
+20, −10  
±55  
DS  
GSS(DC)  
Gate to Source Voltage (V = 0 V)  
V
D(DC)  
Drain Current (DC)  
I
A
Drain Current (Pulse) Note1  
D(pulse)  
I
±165  
100  
A
★
(TO-262)  
C
T
P
Total Power Dissipation (T = 25°C)  
W
W
°C  
°C  
A
A
T
P
Total Power Dissipation (T = 25°C)  
1.5  
ch  
T
Channel Temperature  
150  
stg  
Storage Temperature  
T
–55 to +150  
39  
Single Avalanche Current Note2  
Single Avalanche Energy Note2  
AS  
I
AS  
E
152  
mJ  
(TO-220SMD)  
Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1 %  
2. Starting Tch = 25 °C, RG = 25 Ω, VGS = 20 V → 0 V  
THERMAL RESISTANCE  
th(ch-C)  
Channel to Case  
R
1.25  
83.3  
°C/W  
°C/W  
th(ch-A)  
R
Channel to Ambient  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No.  
Date Published April 2000 NS CP(K)  
Printed in Japan  
D14322EJ1V0DS00 (1st edition)  
★
The mark shows major revised points.  
1999  
©
1234

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