2SK3356

更新时间： 2024-11-23 22:52:55

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK3356 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-3P, MP-88, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	302 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.012 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3356 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3356

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

The 2SK3356 is N-channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PACKAGE

TO-3P

2SK3356

FEATURES

• Super low on-state resistance:

DS(on)1

= 8.0 mΩ MAX. (V = 10 V, I = 38 A)

★

DS(on)2

= 12 mΩ MAX. (V = 4 V, I = 38 A)

iss

• Low C : C = 6300 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

★

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage

V^DSS

V^GSS(AC)

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

±20

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

±75

Drain Current (pulse) ^Note1

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

±300

130

★

°C

P^T

3.0

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

★

E^AS

302

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1 %

★

2. Starting T^ch= 25 °C, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 V → 0 V

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case

Rth(ch-C)

Rth(ch-A)

0.93

41.7

°C/W

Channel to Ambient

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Document No.

Date Published August 1999 NS CP(K)

Printed in Japan

D14133EJ1V0DS00 (1st edition)

The mark ★ shows major revised points.

1999

12 3 4

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