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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 277 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 900 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 2.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDA28N50F | ONSEMI |
功能相似  |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，28 A，175 |
|
| IXFH30N50Q3 | IXYS |
功能相似 |
HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class |
|
| FDA28N50F | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel MOSFET 500V, 28A, 0.175Ω |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2851 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
|
| 2SK2851TZ-E | RENESAS |
获取价格 |
5000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, SC-51, TO-92MOD, 3 PIN |
|
| 2SK2854 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (UHF BAND AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SK2854_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE UHF BAND AMPLIFIER APPLICATION |
|
| 2SK2855 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (UHF BAND AMPLIFIER APPLICATION) |
|
| 2SK2855_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE UHF BAND AMPLIFIER APPLICATION |
|
| 2SK2856 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE (UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SK2857 | NEC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SK2857 | KEXIN |
获取价格 |
MOS Field Effect Transistor |
|
| 2SK2857 | TYSEMI |
获取价格 |
Can be driven by a 5V power source. Low On-state resistance : RDS(on)1 = 220 m MAX |
|
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