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2SK2857

更新时间： 2024-11-28 22:52:55
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日电电子 - NEC 晶体开关晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 64K
描述
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING

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2SK2857 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.32
其他特性：ESD PROTECTED外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：0.15 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK2857 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK2857  
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
FOR HIGH SPEED SWITCHING  
DESCRIPTION  
PACKAGE DRAWING (Unit : mm)  
The 2SK2857 is a switching device which can be driven directly  
by a 5V power source.  
4.5±0.1  
1.6±0.2  
Electrode  
Connection  
The 2SK2857 features a low on-state resistance and excellent  
Switching Characteristics, and is suitable for applications such as  
actuator driver.  
1.5±0.1  
1.Souce  
2.Drain  
3.Gate  
2
3
1
FEATURES  
0.42±0.06  
0.42  
±0.06  
0.47  
• Can be driven by a 5V power source.  
• Low On-state resistance :  
1.5  
+0.03  
0.41-0.05  
±0.06  
3.0  
DS(on)1  
GS  
D
R
= 220 mΩ MAX. (V = 4 V, I = 1.5 A)  
Marking : NX  
DS(on)2  
R
GS  
D
= 150 mΩ MAX. (V = 10 V, I = 2.5 A)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
EQUIVALENT CIRCUIT  
DSS  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current (DC)  
V
V
60  
±20  
±4  
V
V
GSS  
Drain  
D(DC)  
I
A
Drain Current (pulse) Note1  
Total Power Dissipation Note2  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
D(pulse)  
I
±16  
2
A
Internal  
Diode  
Gate  
T
P
W
°C  
ch  
T
150  
Gate  
Protection  
Diode  
stg  
T
−55 to +150 °C  
Source  
Notes1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %  
2. Mounted on ceramic board of 16 cm2 × 0.7 mm  
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.  
When this device is actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding  
the rated voltage may be applied to this device.  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
The mark • shows major revised points.  
Document No. D11648EJ2V0DS00 (2nd edition)  
Date Published March 1999 NS CP (K)  
Printed in Japan  
1998,1999  
©
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK2857-AZ NEC

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
2SK2857C RENESAS

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 		N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING
2SK2857C-T1-AY RENESAS

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 		N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING
2SK2857C-T1-AZ RENESAS

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 		N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING
2SK2857-T1-AY RENESAS

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,4A I(D),SOT-89
2SK2858 NEC

获取价格

 		N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
2SK2858-A NEC

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 		暂无描述
2SK2858-AT RENESAS

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2SK2858-T1 NEC

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK2858-T1-A RENESAS

获取价格

 		Power MOSFETs for Automotive, SSP, /

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