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2SK2865(2-7B2B)

更新时间： 2024-11-20 21:09:51
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 425K
描述
TRANSISTOR 2 A, 600 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SC-64, 3 PIN, FET General Purpose Power

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2SK2865(2-7B2B) 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Lifetime Buy零件包装代码：SC-64
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.29
雪崩能效等级（Eas）：93 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：8 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK2865(2-7B2B) 数据手册

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2SK2865  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π−MOSV)  
2SK2865  
Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive  
Applications  
Unit: mm  
6.5 ± 0.2  
5.2 ± 0.2  
0.6 MAX.  
•
•
•
•
Low drain−source ON-resistance  
: R  
= 4.2 Ω (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance  
: |Y | = 1.7 S (typ.)  
fs  
Low leakage current  
Enhancement mode  
: I  
= 100 μA (max) (V  
= 600 V)  
DSS  
DS  
: V = 2.0 to 4.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
1.1 ± 0.2  
0.8 MAX.  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
0.6 MAX.  
1.05 MAX.  
2 3  
0.6 ± 0.15  
1
Characteristic  
Drain−source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
600  
600  
±30  
2
V
V
V
A
DSS  
Drain−gate voltage (R  
Gate−source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
GSS  
2.3 ± 0.15  
2.3 ± 0.15  
2
DC  
(Note 1)  
I
D
1. GATE  
2. DRAIN  
（HEAT SINK）  
3. SOURSE  
1
Pulse (t = 1 ms)  
(Note 1)  
I
5
DP  
DP  
Drain current  
A
A
3
Pulse (t = 100 μs)  
I
8
(Note 1)  
JEDEC  
―
―
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
Single-pulse avalanche energy  
P
20  
93  
W
mJ  
D
AS  
AR  
JEITA  
E
(Note 2)  
TOSHIBA  
2-7J1B  
Avalanche current  
I
2
2
A
Weight: 0.36 g (typ.)  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
150  
ch  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and  
Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
6.25  
125  
°C / W  
°C / W  
th (ch−c)  
R
th (ch−a)  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 41 mH, R = 25 Ω, I = 2 A  
V
DD  
ch  
G
AR  
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2010-02-05  
123456

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与2SK2865(2-7B2B)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK2865(2-7J1B) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 2 A, 600 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-7J1B, SC-64, 3 PI
2SK2865(TE16L1,NQ) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,600V V(BR)DSS,2A I(D),TO-252
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