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2SK2865(2-7J1B)

更新时间： 2024-11-21 06:21:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 412K
描述
TRANSISTOR 2 A, 600 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-7J1B, SC-64, 3 PIN, FET General Purpose Power

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2SK2865(2-7J1B) 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Lifetime Buy零件包装代码：SC-64
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.45
雪崩能效等级（Eas）：93 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：8 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

2SK2865(2-7J1B) 数据手册

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2SK2865  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π−MOSV)  
2SK2865  
Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive  
Applications  
Unit: mm  
6.8 MAX.  
5.2 ± 0.2  
0.6 MAX.  
•
•
•
•
Low drain−source ON-resistance  
: R  
= 4.2 Ω (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance  
: |Y | = 1.7 S (typ.)  
fs  
Low leakage current  
Enhancement mode  
: I  
= 100 μA (max) (V  
= 600 V)  
DSS  
DS  
: V = 2.0 to 4.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
0.95 MAX.  
0.6 ± 0.15  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Drain−source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
2.3 2.3  
2
0.6 MAX.  
1
3
V
600  
600  
±30  
2
V
V
V
A
DSS  
Drain−gate voltage (R  
Gate−source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
GSS  
2
1. GATE  
2. DRAIN  
DC  
(Note 1)  
I
1
D
（HEAT SINK）  
3. SOURSE  
Pulse (t = 1 ms)  
(Note 1)  
3
I
5
DP  
DP  
Drain current  
A
A
JEDEC  
―
Pulse (t = 100 μs)  
I
8
(Note 1)  
JEITA  
SC-64  
2-7B1B  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
Single-pulse avalanche energy  
P
20  
93  
W
mJ  
D
AS  
AR  
TOSHIBA  
E
(Note 2)  
Weight: 0.36 g (typ.)  
Avalanche current  
I
2
2
A
6.5 ± 0.2  
5.2 ± 0.2  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
0.6 MAX.  
AR  
T
150  
ch  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
1.1 ± 0.2  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.)  
may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the  
operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are  
within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
0.8 MAX.  
0.6 MAX.  
1.05 MAX.  
0.6 ± 0.15  
1
2
3
Thermal Characteristics  
2.3 ± 0.15  
2.3 ± 0.15  
2
3
1. GATE  
2. DRAIN  
（HEAT SINK）  
3. SOURSE  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
1
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
6.25  
125  
°C / W  
°C / W  
th (ch−c)  
R
th (ch−a)  
JEDEC  
―
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 41 mH, R = 25 Ω, I = 2 A  
JEITA  
―
V
DD  
ch  
G
AR  
TOSHIBA  
2-7J1B  
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel  
temperature  
Weight: 0.36 g (typ.)  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2009-07-14  
123456

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