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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SC-63 |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.14 |
| Is Samacsys： | N | 最大漏源导通电阻： | 0.07 Ω |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2869(L)-(2) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2SK2869(S) | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 0.07ohm, SC-64, 3 PIN |
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| 2SK2869(S) | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SK2869(S)-(1) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2SK2869(S)-(2) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2SK2869(S)-(3) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2SK2869(S)TL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK2869(S)TL | RENESAS |
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20 A, 60 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2869(S)TR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK2869(S)TR | RENESAS |
获取价格 |
20A, 60V, 0.07ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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