5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.28 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.07 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2869(S)TR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| 2SK2869(S)TR | RENESAS |
获取价格 |
20A, 60V, 0.07ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| 2SK2869L | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
|
| 2SK2869L-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
|
| 2SK2869S | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
|
| 2SK2869S-E | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SK2869STL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
|
| 2SK2869-ZJ | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
|
| 2SK2870-01 | ETC |
获取价格 |
|
|
| 2SK2870-01L | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
